Японские ученые разработали цифровую память на органической основе

Инженеры из Университета города Токио разработали новый вид устойчивой памяти, организация которой подобна флеш-памяти, но состоит новая память из органических материалов. «Флеш-память хранит данные в электронном виде в кремниевых транзисторах. В данном случае информация может быть быстро записана и прочитана, кроме того, данные сохраняются когда модуль обесточен. Такими же свойствами обладает и органическая память», — говорит Такео Сомея, один из разработчиков новой технологии.

Одним из основных преимуществ новой памяти на органической базе является ее гибкость, модуль памяти можно в буквальном смысле согнуть, сложить пополам или свернуть в трубочку, говорит он. Такая технология позволит создавать очень большие по размерам модули, которые можно интегрировать в самый широкий спектр устройств.

Сейчас исследователи создали экспериментальный модуль, площадью 26х26 ячеек на базе пластикового полиэтилен-нафталата. Площадь созданного модуля всего 6 мм, однако ученые уже работают над более крупными модулями. По словам профессора Сомеи, главная задача при создании больших модулей заключается в том, чтобы создать такие модули, которые даже при своих внушительных размерах не имели бы электрических или механических проблем.

Свою разработку японские ученые назвали органической флеш-памятью, так как здесь из органических материалов полностью воссозданы транзисторы, тонкие изоляторы и проводники. Более того, даже диэлектрические створки здесь были также созданы из органической основы. «Структура новой памяти ничуть не уступает кремниевой, так как без доступа к электричеству способна сохранять данные годами», — говорит он.

Ученые говорят, что органическая память может быть многослойной, а индивидуальные слои разделяются тонким 2-нанометровым монослоем. Сообщается, что для записи и удаления данных на модуль требуется подать напряжение в 6 вольт, тогда как для чтения — всего 1 вольт. Стирать и записывать данные можно несколько тысяч раз, что несколько хуже показателя кремниевой памяти, поддерживающей до 100 000 циклов перезаписи.

Ссылка на источник

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован.