Японские ученые разработали цифровую память на органической основе

Инженеры из Университета города Токио разработали новый вид устойчивой памяти, организация которой подобна флеш-памяти, но состоит новая память из органических материалов. «Флеш-память хранит данные в электронном виде в кремниевых транзисторах. В данном случае информация может быть быстро записана и прочитана, кроме того, данные сохраняются когда модуль обесточен. Такими же свойствами обладает и органическая память», — говорит Такео Сомея, один из разработчиков новой технологии.

Одним из основных преимуществ новой памяти на органической базе является ее гибкость, модуль памяти можно в буквальном смысле согнуть, сложить пополам или свернуть в трубочку, говорит он. Такая технология позволит создавать очень большие по размерам модули, которые можно интегрировать в самый широкий спектр устройств.

Сейчас исследователи создали экспериментальный модуль, площадью 26х26 ячеек на базе пластикового полиэтилен-нафталата. Площадь созданного модуля всего 6 мм, однако ученые уже работают над более крупными модулями. По словам профессора Сомеи, главная задача при создании больших модулей заключается в том, чтобы создать такие модули, которые даже при своих внушительных размерах не имели бы электрических или механических проблем.

Свою разработку японские ученые назвали органической флеш-памятью, так как здесь из органических материалов полностью воссозданы транзисторы, тонкие изоляторы и проводники. Более того, даже диэлектрические створки здесь были также созданы из органической основы. «Структура новой памяти ничуть не уступает кремниевой, так как без доступа к электричеству способна сохранять данные годами», — говорит он.

Ученые говорят, что органическая память может быть многослойной, а индивидуальные слои разделяются тонким 2-нанометровым монослоем. Сообщается, что для записи и удаления данных на модуль требуется подать напряжение в 6 вольт, тогда как для чтения — всего 1 вольт. Стирать и записывать данные можно несколько тысяч раз, что несколько хуже показателя кремниевой памяти, поддерживающей до 100 000 циклов перезаписи.

Ссылка на источник

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *